射频高Q多层片式电容器

CCT射频高Q多层片式电容|高Q电容|ATC电容

适用于微波相控阵雷达T/R组件、射频功率放大器、滤波器、振荡器、计时电路、天线调谐、磁共振成像系统等设备中起耦合、调谐、旁路、隔直作用；

 1.特点

• 尺寸规格系列化，适用于混合集成电路或印刷电路的表面贴装元件；

• 具有高Q值、低ESR、可靠性高的特点；

• 损耗低、电容量稳定性高、工作频率最高可达3GHz；
  

• 国军标生产线生产；

• 通讯、雷达、弹引信、舰船及航空、航天系统的地面电子设备及民用高端设备；

• 使用于各类设备中的高频电路、VHF-微波段、射频及放大电路中。
  

  
  

 2.主要性能指标

• 温度系数：C0G：0±30ppm/℃；

• 电容量漂移：不超过±0.2%或±0.05pF，取较大者；

• 品质因数（Q值）：频率为1MHz/1KHz时大于2000

• 老化特性：无；

• 绝缘电阻；在20℃下：≥100000MΩ

• 工作温度：-55~125℃