1、什么场景？什么电容会产生电容声或者说是电容啸叫？
2、电容声和电流声究竟有什么差别？
1、电容啸叫的原理
2、电容啸叫的评估方法
3、啸叫的应对策略
为什么会产生电容啸叫
一旦交流电场被施加在高介电常数材料的电容器上，电容器变形振动，使基板振荡，该振荡周期成为可听领域的频带（20Hz～20kHz）时，电容器产生的啸叫就成为“刺耳的声音”。
上面所描述的就是所谓的压电效应，压电效应包括正压电效应和逆压电效应，正压电效应就是某些材料在外力作用下产生电荷，逆压电效应就是物体在外加电压下会产生形变。
因为压电效应和逆压电效应，才会导致MLCC电容产生了电容啸叫。对多层陶瓷电容（MLCC）来说，电容器上使用的铁电体必须具有压电性，在存在电场时，发生失真，由于芯片膨胀和收缩，产生了啸叫，具体总结如下表。
如何评估电容啸叫
上述讲了电容啸叫产生的原因，现在我们讨论一下怎么去评估电容啸叫。
（1）声压级测试——通过测量声压级，量化啸叫
在电波暗箱中使得测量物体处于工作状态，通过话筒，用声压计测量，同时可以使用FET分析频率特性来评估和分析应对策略。
（2）基板的位移测量
通过测量基本的位移量，可确认电容器使得基板振荡。
使得测量物体处于工作的状态下，激光照在基板上，检测出基板的位移量。
那么怎么通过位移量判断啸叫原因呢？如下图所示，当电容啸叫时，基板的位移量和声压级是一起升高的，从而可以判断得出。
（3）电容电压变动测量
通过测量电容器两端的电压变动，可以判断该电容是否是产生啸叫的原因。
判断的方法主要是当测量物体处于工作状态下时，根据电容电压的波形判断是否有可听领域（20-20000Hz）的频率的纹波电压施加到电容上。
可以同位移量判断方法一样，进一步确认是否是由该电容产生电容声，电容器两端的电压变动频谱和声压级频谱一样，从而确认啸叫原因。
//哪个模块容易产生电容啸叫//
一般来说，在PC或者手机平台电源DC-DC的一次侧是最容易产生电容啸叫的，在此模块电容多，PC上电路的电压也高，使用的电容介电常数也高，电压更容易变动，介电体受到电场时的膨胀收缩也较大，综上会更容易产生电容啸叫。
应对策略
在解决电容啸叫问题时，如上图所示，有四点：
1、使用难以将振动传播到基板的原件，控制圆角；
2、使用不易产生啸叫的电容材料；
3、控制基板的谐振频率，用基板形状、螺丝等改变基板的谐振；
4、更改安装方向，消除共振。
2、电容声和电流声究竟有什么差别？
1、电容啸叫的原理
2、电容啸叫的评估方法
3、啸叫的应对策略
为什么会产生电容啸叫一旦交流电场被施加在高介电常数材料的电容器上，电容器变形振动，使基板振荡，该振荡周期成为可听领域的频带（20Hz～20kHz）时，电容器产生的啸叫就成为“刺耳的声音”。
上面所描述的就是所谓的压电效应，压电效应包括正压电效应和逆压电效应，正压电效应就是某些材料在外力作用下产生电荷，逆压电效应就是物体在外加电压下会产生形变。
因为压电效应和逆压电效应，才会导致MLCC电容产生了电容啸叫。对多层陶瓷电容（MLCC）来说，电容器上使用的铁电体必须具有压电性，在存在电场时，发生失真，由于芯片膨胀和收缩，产生了啸叫，具体总结如下表。
如何评估电容啸叫
上述讲了电容啸叫产生的原因，现在我们讨论一下怎么去评估电容啸叫。
（1）声压级测试——通过测量声压级，量化啸叫
在电波暗箱中使得测量物体处于工作状态，通过话筒，用声压计测量，同时可以使用FET分析频率特性来评估和分析应对策略。
（2）基板的位移测量
通过测量基本的位移量，可确认电容器使得基板振荡。
使得测量物体处于工作的状态下，激光照在基板上，检测出基板的位移量。
那么怎么通过位移量判断啸叫原因呢？如下图所示，当电容啸叫时，基板的位移量和声压级是一起升高的，从而可以判断得出。
（3）电容电压变动测量
通过测量电容器两端的电压变动，可以判断该电容是否是产生啸叫的原因。
判断的方法主要是当测量物体处于工作状态下时，根据电容电压的波形判断是否有可听领域（20-20000Hz）的频率的纹波电压施加到电容上。
可以同位移量判断方法一样，进一步确认是否是由该电容产生电容声，电容器两端的电压变动频谱和声压级频谱一样，从而确认啸叫原因。
//哪个模块容易产生电容啸叫//
一般来说，在PC或者手机平台电源DC-DC的一次侧是最容易产生电容啸叫的，在此模块电容多，PC上电路的电压也高，使用的电容介电常数也高，电压更容易变动，介电体受到电场时的膨胀收缩也较大，综上会更容易产生电容啸叫。
应对策略
在解决电容啸叫问题时，如上图所示，有四点：
1、使用难以将振动传播到基板的原件，控制圆角；
2、使用不易产生啸叫的电容材料；
3、控制基板的谐振频率，用基板形状、螺丝等改变基板的谐振；
4、更改安装方向，消除共振。
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