TDK电容Ceralink的多层结构采用全新的陶瓷材料与铜内电极组合设计，具有经济和性能优势。优势ESR随温度降低而大幅下降，超低ESL，铜内电极材料特性有利于实现高开关频率和低损耗，并允许快速转换速率和高Imax适合高达1 MHz及以上的开关频率!高达150°C的宽工作温度范围（也适用于SiC/GaN！）
高频率下低损耗支持快速开关半导体
支持系统级电力电子的进一步小型化
所选材料可实现超低漏电流
随着频率增加，介电损耗不断降低
焊接端子和现代快速压合端子技术
无负直流偏压减少电容（高达VOP）
TDK电容紧凑型外壳，提供典型电源模块选项，适合工业和汽车应用，即零缺陷概念
集成到电源模块的特殊类型(IGBT/MOSFET/SiC)
可通过QR码实现可追踪性（取决于设计）
TDK电容特性高电容密度
TDK电容超低ESR和低ESL
TDK电容高电流密度，能够有效减少纹波电压
TDK电容随电压升高而增大有效电容
TDK电容能够高温漂移
TDK电容高频率下低损耗
支持快速开关半导体
支持系统级电力电子的进一步小型化
规范绝缘电阻：1GΩ至10GΩ，极高，因此导致漏电流极低，特别是在高温环境下
ESL：<4nH，因此超低
ESR：<4mΩ，即使在低电容下也超低，因此损耗低（典型值）
TDK电容工作温度：-40°C至+125°C（短时间内高达+150°C），因此也适合SiC
