村田硅电容|MURATA

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村田的高密度硅电容器,通过应用半导体的MOS工艺实现三维化,大幅增加电容器表面积,从而提高了基板单位面积的静电容量。

适合的市场细分

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网络相关(RF功率放大器、宽带通信)、高可靠性用途、医疗、汽车、通信。

村田村田硅电容|MURATA的MGSC系列,以所有的重要插件和生命支持解决方案为目标。这种深槽MOS电容器,利用通过ISO-13485认证的村田设备制造,采用特别的Mosaic设计,与分散的沟槽电容器组合,电气特性达到了超高的水平。村田提供的各种电容器,均在制造过程中采用经过900℃退火处理的高纯度氧化膜,符合AEC-Q100标准。

并且,对根据用途的关键性而生产的电容器进行100%屏蔽,排除“初始”缺陷。漏电流极低,在使用电池的用途上,可以改善性能,延长使用寿命。硅电容器技术与替代的陶瓷电容器技术相比,不仅可靠性高,而且兼具稳定性和轻薄性。MGSC电容器与标准的外置SMD解决方案相比,去藕性能得到加强,可在插件上直接集成。


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