高Q高频电容器|射频微波电容|高Q值射频电容适用于微波相控阵雷达T/R组件、射频功率放大器、滤波器、振荡器、计时电路、天线调谐、磁共振成像系统等设备中起耦合、调谐、旁路、隔直作用;
1.特点
尺寸规格系列化,适用于混合集成电路或印刷电路的表面贴装元件;
具有高Q值、低ESR、可靠性高的特点;
损耗低、电容量稳定性高、工作频率最高可达3GHz;
国军标生产线生产;
通讯、雷达、引信、舰船及航空、航天的地面电子设备及民用高端设备;
使用于各类设备中的高频电路、VHF-微波段、射频及放大电路中。
2.主要性能指标
温度系数:C0G:0±30ppm/℃;
电容量漂移:不超过±0.2%或±0.05pF,取较大者;
品质因数(Q值):频率为1MHz/1KHz时大于2000
老化特性:无;
绝缘电阻;在20℃下:≥100000MΩ
工作温度:-55~125℃
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