TDK面向碳化硅电力电子器件应用推出超低自感的直流支撑电容器
TDK株式会社重磅推出B25696H*系列MKP直流高频 (HF) 薄膜电容器。作为适用于新一代碳化硅 (SiC) 电力电子器件的高可靠性、高性能直流支撑电容器平台，
该系列元件的容值范围为47 µF至1280 µF，额定电压范围为900 V至2000 V，具备超低自感和低等效串联电阻 (ESR) 特性，可满足现代高开关频率拓扑结构的应用需求。
B25696H系列的典型应用包括储能系统 (ESS)、固态变压器 (SST)、可再生能源逆变器、牵引驱动及工业电机驱动。
B25696H系列的一项关键差异化优势在于其特殊的内部设计，可确保电容器绕组之间实现均匀的电流分布。
该设计实现了低至30 nH的自感，以及10 kHz条件下低至0.8 mΩ的ESR，并且在最高100 kHz频率范围内能保持优异的ESR稳定性。
通过最大限度降低寄生电感和电阻损耗，该系列元件有效减少了电压尖峰和SiC电力器件所承受的电应力，从而提高了热工裕量及整体系统可靠性。
该系列柱形电容器采用金属化聚丙烯 (MKP) 电介质，配备铝制外壳和树脂顶盖，具有诸多特点，
比如提供85 mm和100 mm两种直径规格；配备M6内螺纹端子及M12螺纹固定螺栓；
工作温度范围为-40 °C至+85 °C（热点温度）；在 + 75°C热点温度与额定电压条件下，预期使用寿命可达100,000小时；
在电压与温度降额使用条件下，使用寿命最长可延长至200,000小时；
具备高达91 A的纹波电流能力（+60°C环境温度和10kHz条件下），可支持高功率密度转换器设计。
为支持系统级优化，TDK还提供免费的在线CapThermal工具。该工具允许工程师对电容器进行热仿真，并准确评估特定应用条件下的使用寿命，从而帮助缩短高性能SiC电力变换器的设计周期，实现更精准的元器件选型
