ST 意法半导体STGWA40H65DFB2（内置反并联超快软恢复续流二极管）
二、核心电气参数
集射极耐压 VCES：650 V
连续集电极电流 Ic：
25℃：72A
100℃：40A（标称额定电流）
脉冲集电极电流 Icp：160 A
饱和压降 VCE (sat)：典型 1.55 V @ Ic=40A
栅射极电压 VGE：±20V（瞬时 ±30V）
最大耗散功率 Ptot：230 W（Tc=25℃）
最高结温 Tj：175 ℃
内置二极管：超快软恢复型，IF@100℃=38A
工艺：Trench Gate Field-Stop 沟槽栅场截止，拖尾电流小
四、适用范围
1）光伏新能源
组串式光伏逆变器、单相 PFC 功率因数校正电路
2）不间断电源 UPS
工频 / 高频 UPS 逆变、储能变流器 PCS
3）充电桩设备
新能源直流充电桩辅助电源、车载充电机 OBC
4）工业电源与传动
高频开关电源、焊机、工业变频器、伺服驱动器
5）其他
大功率有源滤波、感应加热电源
ST
物料名称
IPS8200HQ
LMV321ILT
M24C08-RMN6TP
MASTERGAN4TR
SM6T33CA
STGIPN3H6O
STGWA40H65DFB
STGWA40H65DFB2
STM32F0316DIE1
STM32F0518DIE1
STM32F051K6T6
STM32F401VCT6
