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用于分立式MLCC的MIL-PRF-32535引发了基于BME技术的堆叠陶瓷电容器的讨论。
堆叠式陶瓷电容器是多个分立式多层陶瓷电容器 （MLCC），端接在公共引线框架上，用于通孔或 SMT作。它们具有MLCC技术的许多固有优势，例如低损耗材料组、低ESR（等效串联电阻）和更高的可靠性。
开关模式电源等典型应用需要更大的电容值和电流能力。堆叠式MLCC在电容范围方面与分立式电解电容器技术竞争，但在电压和温度能力方面具有优势，这自然提高了其可靠性，因此尽管与电解电容器相比价格更高，但使其成为国防应用的首选技术。
堆叠陶瓷电容器的军用性能 （MIL-PRF） 标准是 MIL-PRF-49470。供应商可以按照此规范进行构建，并为主要国防和航空航天应用提供他们的设备。它们使用贵金属电极 （PME） MLCC 制造，该 MLCC 采用钯、银和/或铂的组合作为电极系统的主体。这已经使用了几十年，并在 PME 设备中建立了良好的声誉。
然而，最近发布了 MIL-PRF-32535，它采用贱金属电极 （BME） 技术，主要是镍。关注 BME 相对于 PME 器件的成本效益是直观的，但制造过程中还有其他影响，这些影响不会立即显现出来，但有助于国防部门的设计师、组件工程师和项目经理考虑。
MLCC 必须烧结以形成介电层和电极层的整体块。烧制 BME 器件的温度曲线与 PME 器件显着不同。与 BME 工艺相比，PME 工艺更关心 PME 材料的蒸发。正因为如此，对于创建 BME 器件的陶瓷工程师来说，开发一种可以在更高温度下烧结的介电材料，这将在成品 MLCC 中实现比同等 PME 器件小得多的电容值，这对国防应用具有巨大影响。
MIL-PRF-32535 的开发和接受很大程度上得益于该领域的一些主要供应商的帮助，有趣的是，这些分立式 MLCC 的低电感版本正在推出新的斜杠片，例如，这些 MLCC 可以满足强大 FPGA 的高速去耦需求。
用于分立式MLCC的MIL-PRF-32535引发了基于BME技术的堆叠陶瓷电容器的讨论。这些器件与根据现有 M49470 标准创建的器件类似，但具有更高的电容密度，紧随商业、汽车和高可靠性应用的高性能 SiC 和 GaN HEMT 的发展。
从无引线组件转向引线框架组件可以方便地将一系列 MLCC 封装到更小的封装中，以节省 PCB 表面积，但还有其他可能不易显现的好处。例如，MLCC 可能容易因 PCB 弯曲引起的机械应变、高冲击和振动环境以及组装、返工、温度循环测试甚至作条件等引起的热膨胀系数 （TCE） 不匹配而开裂。尽管应变源有很多，但它们的引线框架可以缓解堆叠陶瓷电容器。
总之，基于 BME 技术的堆叠陶瓷电容器非常适合具有严格机械、热和电气设计限制的应用。
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