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GD25B16ES2GR 兆易创新GD NOR 16M位NOR闪存

发布时间:2025-12-01

GD25B16ES2GR 兆易创新GD  NOR 16M位NOR闪存

‌GD25B16ES2GR是兆易创新(GigaDevice)生产的16M位NOR闪存,支持标准SPI和双/四线SPI接口‌,适用于需要高速读取和低功耗的嵌入式系统。

基本参数

容量:16M位(2MB)

接口:支持标准SPI、双线SPI、四线SPI

时钟频率:最高133MHz(标准SPI),双线模式266Mbit/s,四线模式532Mbit/s

编程/擦除周期:≥100,000次

数据保留:20年

封装:SOP-8(150mil/208mil)、USON8(3x2mm/3x4mm/4x4mm)、WSON8(6x5mm) ‌

特性

支持XiP(芯片内执行)

低功耗:待机电流11μA,深度掉电1μA

安全功能:128位唯一ID、OTP锁安全寄存器

电压范围:2.7-3.6V ‌


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有技术与业务咨询请联系张工13430464310

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